Fundamentos de la electrónica / I. P. Zherebtsov ; traducido del ruso por Akop Grdian.
Tipo de material:
TextoIdioma: Español Lenguaje original: ru Detalles de publicación: Moscú : Mir, 1976.Descripción: 543 p. : il. gráf. ; 21 cmTipo de contenido: - texto
- sin mediación
- volumen
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Ubicación en estantería | Signatura | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras |
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Libros
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Facultad Regional Concepción del Uruguay | Ingenierías | ELECTROMECANICA/ELECTRONICA INDUSTRIAL | 621.38 ; Z 33 ; 13749 (Navegar estantería(Abre debajo)) | Disponible (Sin Restricciones) | 13749 | |
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Libros
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Facultad Regional Concepción del Uruguay | Ingenierías | ELECTROMECANICA/ELECTRONICA INDUSTRIAL | 621.38 ; Z 33 ; 9895 (Navegar estantería(Abre debajo)) | Disponible (Sin Restricciones) | 9895 |
Navegando Facultad Regional Concepción del Uruguay Estantes, Ubicación: ELECTROMECANICA/ELECTRONICA INDUSTRIAL, Código de colección: Ingenierías Cerrar el navegador de estanterías (Oculta el navegador de estanterías)
| 621.38 ; T 23 ; 8834 [Interface products (IF) Data book / | 621.38 ; T 23 ; 8835 [Portable products (PP) Data book / | 621.38 ; T 23 ; 8836 [Power supply control products (PS) Data book / | 621.38 ; Z 33 ; 13749 Fundamentos de la electrónica / | 621.38 ; Z 33 ; 9895 Fundamentos de la electrónica / | 621.38 ; Z 97 ; 105 Prácticas de electrónica / | 621.38 ; ZZ 97 ; 1320 Prácticas de electrónica industrial / |
Traducido del ruso por el ingeniero Arop Grdian
Primera Parte: Fundamentos físicos del trabajo de los dispositivos de vacío y semiconductores
Capítulo primero: Movimiento de los electrres en campos eléctrico y magnético
Cap. II Conductancia de semiconductores
Cap. III Emisión electrónica0
Segunda parte: Dispositivos semiconductores
Cap. IV Unión electón-hueco
Cap. V. Diodos semiconductores
Cap. VI Transistores
Cap. VII Características y parámetros de los transistores
Cap. VIII Régimen de trabajo de los transistores
Cap. IX Dispositivos semiconductores especiales
Tercera parte: Dispositivos de vacío
Cap. X. Principios generales de la estructura y del trabajo de los dispositivos de vacío
Cap. XI Válvulas de los electrodos (diodos)
Cap. XII Válvulas de tres electrodos (triodos)
Cap. XIII Régimen de trabajo del triodo
Cap. XIV Tetrodos y pentodos
Cap. XV Válvulas especiales y múltiples
Cap. XVI Dispositivos iónicos
Cap. XVII Tubos de rayos catódicos
Cap. XVIII Ruidos propios de las válvulas electrónicas
Cap. XIX Dispositivos electrónicos de frecuencias supe relevadas
Cap. XX. Fiabilidad y prueba de dispositivos semiconductores y válvulas electrónicas
El texto presenta un manual sobre dispositivos electrónicos de vacío y semiconductores, enfocado en sus principios, propiedades y aplicaciones prácticas. Está dirigido a universidades y al estudio autodidacta. No incluye microelectrónica, fotoelectrónica ni electrónica cuántica.
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